本文摘要：日前，诺贝尔奖纪念演说在瑞典斯德哥尔摩大学举办，在取得物理学奖的3人中，中村修二最后同台。他在演说中总结了蓝色LED的研究过程，特别强调了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。 此外，他还讲解了目前重点前进的研究用于激光器的灯光。 在演说中，中村说道他在基于GaN的蓝色LED领域是新人，但他取得的成果已跟上并打破了赤崎与天野的研究小组首度得出结论的各种数据。 其原动力就是双流MOCVD。

日前，诺贝尔奖纪念演说在瑞典斯德哥尔摩大学举办，在取得物理学奖的3人中，中村修二最后同台。他在演说中总结了蓝色LED的研究过程，特别强调了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。

此外，他还讲解了目前重点前进的研究用于激光器的灯光。　　在演说中，中村说道他在基于GaN的蓝色LED领域是新人，但他取得的成果已跟上并打破了赤崎与天野的研究小组首度得出结论的各种数据。

其原动力就是双流MOCVD。　　InGaN不可或缺　　中村用于双流MOCVD装置构建了基于InGaN的双异质结结构，构建了蓝色LED的高亮度化，从而推展了实用化进程。　　以前业内普遍认为，不将GaN晶体内被称作晶格的晶体缺陷增至103个/cm2，就会收到暗淡的光，但用于InGaN后，即使这一缺失多达109个/cm2，也能构建高亮度闪烁。

正是InGaN的这种特性推展了蓝色LED及其之后的蓝紫色半导体激光器的构建。　　那么，为何InGaN在晶体缺陷多的情况下仍可闪烁呢？在讲解其原理时，中村提到日本东北大学教授秩父重英的研究成果称之为，与In的局域化效应有关。　　激光器将代替LED　　中村在总结蓝色LED的研究后，讲解了目前正在着力研究的利用半导体激光器的灯光。蓝色LED不存在光效上升问题，越是高亮度，就就越无以提高效率。

而激光器不不存在这一问题，与LED灯光比起，激光照明可实现十分低的效率。因此中村预计，激光照明将来不会代替LED灯光。　　最后，中村特地取出时间公开发表了祝贺，感激日亚化学工业创始人、表示同意研发蓝色LED并为此获取反对的小川信雄。

并且，中村还向沿袭小川信雄足跡的现任社长小川英治，以及还包括当时的部下在内的日亚化学工业的全体员工传达了敬意。另外，中村还向加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）的同事们回应了敬意。

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